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电子元器件详细资料 » IC[20327] » IPD60R1K4C6
型号:IPD60R1K4C6类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.4 欧姆 @ 1.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 90µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9.4nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds200pF @ 100V
功率_最大28.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

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