型号:IPD60R1K4C6 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
系列 | CoolMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.4 欧姆 @ 1.1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3.5V @ 90µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 9.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 200pF @ 100V |
功率_最大 | 28.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市恒天华科技有限公司 | 邓0755-82560927 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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